盖世汽车讯据外媒报道，法国CEA-Leti（原子能信息实验室）宣布，成功研发了一种结合混合键合和高密度硅通孔（TSV）的工艺，可以将人工智能（AI）功能添加到CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器中。通过CEA-Leti的AI集成技术，新一代CMOS图像传感器可以充分利用所有图像数据来感知场景、理解情况并进行干预。
AI集成至CMOS图像传感器（图片来源：CEA-Leti）
随着智能手机、数码相机、汽车和医疗设备等设备对高性能成像技术的需求不断增长，人们对智能传感器的需求也在迅速上升。此类需求涵盖提升图像质量及通过嵌入式AI来增强功能，给制造商带来了在保持设备尺寸不变的前提下提高传感器性能的挑战。
该研究的第一作者Renan Bouis表示：“通过将多个芯片堆叠在一起形成三层成像仪等3D结构，传感器设计领域引发了范式转变。实现不同层级的通信需要先进的互联技术，而混合键合技术在微米级甚至亚微米级范围内都可实现超精细封装，因而可满足此种要求。高密度硅通孔（HD TSV）具有与中间层类似的密度，能够通过中间层传输信号。这两种技术都有助于减少导线长度，这也是提升3D堆叠结构性能的关键因素。”